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  • AT810 經濟性原子層沉積設備
    AT810 經濟性原子層沉積設備

    AT810 經濟性原子層沉積設備是小占地面積臺式系統。采用半導體級金屬密封管路以及兼容高溫的快速脈沖原子層沉積(ALD)閥。用于集成惰性氣體吹掃的超快速質量流量控制器(MFC)。6 英寸圓形卡盤(最大適配 7 英寸方形),可針對更小尺寸或其他形狀(高 11 毫米)定制。

    更新時間:2025-08-14型號:瀏覽量:268
  • AT610 經濟性原子層沉積設備
    AT610 經濟性原子層沉積設備

    AT610 經濟性原子層沉積設備是小占地面積臺式系統。采用半導體級金屬密封管路以及兼容高溫的快速脈沖原子層沉積(ALD)閥。用于集成惰性氣體吹掃的超快速質量流量控制器(MFC)。6 英寸圓形卡盤(最大適配 7 英寸方形),可針對更小尺寸或其他形狀(高 11 毫米)定制。

    更新時間:2025-08-01型號:瀏覽量:218
  • AT 臭氧發生器
    AT 臭氧發生器

    AT 臭氧發生器采用高品質元器件,能以極小的體型提供高濃度(最高 12%)臭氧。該系統無需昂貴且笨重的水冷裝置,內置的高速風扇即使在長時間或持續使用時,也能保持等離子體室的冷卻。可在臭氧、氧氣和關閉狀態之間進行手動或自動切換。

    更新時間:2025-08-14型號:瀏覽量:262
  • AT650/850T 臺式熱原子層沉積設備
    AT650/850T 臺式熱原子層沉積設備

    AT650/850T 臺式熱原子層沉積設備,具備現場升級為等離子體模式的能力,占地面積小(38.1 厘米,寬 15 英寸),可容納直徑為 6 英寸或更小的樣品。

    更新時間:2025-07-31型號:瀏覽量:204
  • AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設備
    AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設備

    AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設備,其以熱系統,配備新高級空心陰極源與 60 MHz RF,有低氧污染等特點;占地小,可容納 6 英寸及更小樣品,可選定制卡盤;有 4 個有機金屬源前驅體、多達 4 個氧化劑 / 還原劑源;具備高溫兼容快速脈沖 ALD 閥等;溫度范圍廣,靜態處理模式可獲高曝光 。

    更新時間:2025-08-01型號:瀏覽量:181
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