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  • AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設備
    AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設備

    AT650/850P 臺式等離子原子層沉積設備,其以熱系統,配備新高級空心陰極源與 60 MHz RF,有低氧污染等特點;占地小,可容納 6 英寸及更小樣品,可選定制卡盤;有 4 個有機金屬源前驅體、多達 4 個氧化劑 / 還原劑源;具備高溫兼容快速脈沖 ALD 閥等;溫度范圍廣,靜態處理模式可獲高曝光 。

    更新時間:2025-08-01型號:瀏覽量:181
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