微波等離子去膠機具有操作簡單、效過好、無損傷、無劃痕、無殘留物、表面干凈光沾、無須干燥處理的特點。能夠去除較難處理的SU-8光刻膠或經列體面改性的長部能工作氣體可以采用氧氣和氫氣的混合物。利用象您氣體與5一8光到膠的化學反應能夠快速將其去除。此外，常壓射頻介質阻擋輝光放電等蒸發(fā)的工藝，都是去除光刻膠或進行掩模基片表面干法清洗的常用方法。該去膠裝置由去離子水儲罐、CO,儲氣罐、混合罐、對混合溶液加熱的熱交換器，以及用于對掩模基片或圓片去膠的反應腔體組成。

　　光刻膠去除是半導體生產工藝中的一一個重要環(huán)節(jié)。在掩模版制造過程或集成電體有院中、 以及在電子來曝光紫外路光等微納米加工工藝中，光刻戰(zhàn)路越圖形轉移的黃介作用，因此在完成圖形轉移后，需要將北刻膠*去除以避免殘留的光刺膠影響后續(xù)工藝的質量。

　　光刻膠去除方法可以分為兩種，一種是濕法去膠，主要采用堿性溶液去除常規(guī)正性光刻膠，而負性光刻膠主要采用有機化學溶劑(如丙酮等)去除，但為了將光刻膠*去除干凈，通常還需要采用氧等離子清除底膜:另-種是干法去膠，主要采用等離子去膠機(Plasma Resist Stipper),利用氣態(tài)的等離子體使光刻膠氧化成揮發(fā)性氣體，隨時被真空泵吸除。

　　微波等離子去膠機是普遍的去膠方法，其原理是在1500V高壓的真空反應腔中，由高頻信號發(fā)生器產生的強電磁場使通人的氧氣發(fā)生電離，形成由氧離子、活化的氧原子、氧分子和電子等混合的等離子體輝光放電區(qū)，其中的原子態(tài)氧與光刻膠中的C及日產生化學反應，生成co和CO2氣體以及水汽，并被真空泵抽走。