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AT200M 經(jīng)濟(jì)型原子層沉積設(shè)備

簡要描述:ANRIC推出了目前市場上占地面積最小的原子層沉積(ALD)設(shè)備。AT200M 經(jīng)濟(jì)型原子層沉積設(shè)備型號體積小巧,足以放入手套箱內(nèi),因此成為對濕氣或空氣敏感的沉積工藝的理想解決方案。

產(chǎn)品型號:

所屬分類:AT200M 經(jīng)濟(jì)型原子層沉積設(shè)備

更新時(shí)間:2025-08-01

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

詳情介紹

AT200M 經(jīng)濟(jì)型原子層沉積設(shè)備

AT200M 經(jīng)濟(jì)型原子層沉積設(shè)備


  • 占地面積小(~ 15 英寸 3 或 38.1 厘米 3:寬:14 英寸(35.5 厘米)x 深:15 英寸(38.1 厘米)x 高:14.5 英寸(36.5 厘米))

  • 適合手套箱

  • 可容納來自 2“ x 2" x 3“ 或四個(gè) 2" 圓形/方形晶圓的樣品(可定制卡盤/8 x 2“ 盒)

  • 一種前驅(qū)體和一種反反應(yīng)物(也提供我們的 4 端口選項(xiàng):3 個(gè)前驅(qū)體和 1 個(gè)反反應(yīng)物或 2 個(gè)前驅(qū)體和 2 個(gè)反反應(yīng)物)

  • AT 200M Plus,配備 13.56MHz、80W 空心陰極等離子體源(1 個(gè)標(biāo)準(zhǔn) MFC 和最多 2 個(gè)可用)。

  • 帶有金屬密封線的半導(dǎo)體級組件

  • 通風(fēng)前體外殼

  • 高溫兼容、快速脈沖的 ALD 閥,帶有用于集成惰性氣體吹掃的超快速 MFC

  • 前體(最高 180°C),歧管,腔室加熱以確保無冷凝。

  • 強(qiáng)大的 PLC 驅(qū)動用戶界面(可通過 Windows 進(jìn)行遠(yuǎn)程以太網(wǎng)控制)

  • 不銹鋼腔體可加熱至 300°C(可選卡盤可達(dá) 450 °C 或更高)


特征


  • 占地面積小(~ 15 in3 或 38.1 cm3),可輕松安裝在手套箱中或 SEM/TEM 蒸發(fā)器旁邊。

  • 一個(gè)前體和一個(gè)反反應(yīng)物(可擴(kuò)展到 4 個(gè))

  • 可容納來自 2“ x 2" x 3“ 或四個(gè) 2" 圓形/方形晶圓的樣品(可定制卡盤/8 x 2“ 盒)

  • 通風(fēng)前體外殼

  • 高溫兼容、快速脈沖的 ALD 閥,帶有用于集成惰性氣體吹掃的超快速 MFC – 標(biāo)準(zhǔn)配置

  • 金屬密封線

  • 前體(最高 180°C),歧管,腔室加熱以確保無冷凝。

  • 不銹鋼腔室可加熱至 300°C(可選擇 450 °C 或更高)

  • 帶集成 PLC 控制器的 5 英寸顯示器(無需 PC)


規(guī)格


  • 室溫從室溫到 300°C ± 1 °C

  • 前驅(qū)體溫度從室溫到 180°C ± 2°C(帶加熱夾套)

  • 市場上占地面積最小(1.6 平方英尺),臺式安裝,潔凈室兼容(與我們大型系統(tǒng)的所有安全聯(lián)鎖裝置),也適合手套箱。

  • 系統(tǒng)維護(hù)簡單,公用事業(yè)和前體使用量低。

  • 腔室容積小

  • 非常快的循環(huán)能力。

  • 完整的硬件和軟件聯(lián)鎖,即使在多用戶環(huán)境中也能安全運(yùn)行


選項(xiàng)


  • · 無需集成手套箱 [適合手套箱(或連接到手套箱的側(cè)面)

  • · 定制卡盤/壓板(方形、圓形、雙基板、籃子、小件、較厚的基板、8 個(gè)晶圓盒)。

  • · 新 AT 200M Plus,配備 13.56MHz、80W 空心陰極等離子體源(1 個(gè)標(biāo)準(zhǔn) MFC 和最多 2 個(gè)可用)。

  • · 新產(chǎn)品:溫度補(bǔ)償 QCM

  • · 新:450 °C(或更高)卡盤

  • · ATOzone – 臭氧發(fā)生器(某些薄膜需要:Pt、Ir、SiO2、MoO2、60°C 以下的高質(zhì)量 Al2O3、高質(zhì)量 HfO2

  • · 可選 – 臭氧安全監(jiān)測器,可實(shí)時(shí)檢測環(huán)境臭氧氣體

  • · 4 端口選項(xiàng)(例如:2 個(gè)加熱前驅(qū)體、1 個(gè)未加熱前驅(qū)體、1 個(gè)反反應(yīng)物)

  • · 新 – 6 端口選項(xiàng)(例如:2 個(gè)加熱前驅(qū)體、2 個(gè)未加熱前驅(qū)體、2 個(gè) MFC 控制的反反應(yīng)物)

  • · 新 – MLD 選項(xiàng)

  • · 粉末涂料滾筒

  • 外部控制 – PC/軟件鏈接(允許遠(yuǎn)程編程和運(yùn)行)

  • 包括可通風(fēng)前體柜


AT200M 經(jīng)濟(jì)型原子層沉積設(shè)備

安裝


有關(guān)詳細(xì)說明,請參閱我們的說明:“AT200M 安裝和啟動 "

  • · N2 吹掃氣體應(yīng)為 >99.9995%,帶截止閥(調(diào)節(jié)至 10 – 30 psi,金屬密封),

  • · 通過 1/4 英寸金屬密封管將氮?dú)?(UHP) 吹掃氣體連接到背面的 1/4 英寸壓縮接頭上

  • · 通過 1/4“ 聚乙烯管或金屬線將 90-110 psi CDA(清潔干燥空氣)連接到另一個(gè) 1/4" 壓縮接頭

  • · 使用適當(dāng)?shù)?1 英寸真空(金屬 (SS))軟管 (KF25)、O 形圈和夾子連接泵

  • · 真空泵的另一側(cè)(排氣側(cè))(* 全氟真空油,如 Fomblin,必需)應(yīng)進(jìn)入標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室排氣或頂部,抽> 5cfm(1 英寸管道)。

  • · 大于 1 米需要使用 1.5 英寸 (NW40)。

  • · 前體通過內(nèi)螺紋 VCR 彎頭連接(始終使用新墊圈)。

  • · 先是 1/4 英寸墊圈(戴手套)

· 有關(guān)前驅(qū)體的連接,請參閱 AT200M 安裝和啟動 "


AT200M 經(jīng)濟(jì)型原子層沉積設(shè)備


軟件


有關(guān)詳細(xì)說明,請參閱我們的演示和視頻說明:“AT200M 安裝和啟動 "

  • 帶 5 英寸觸摸屏的人機(jī)界面 (HMI) PLC 系統(tǒng)


  • 面板

  • · 適用于標(biāo)準(zhǔn) ALD 循環(huán)沉積的優(yōu)良控制

  • · 用于高質(zhì)量、經(jīng)過測試的工藝的配方數(shù)據(jù)庫

  • · 自定義配方輸入屏幕

  • · 實(shí)時(shí)顯示工藝狀態(tài)

  • · 可單獨(dú)編程的加熱源溫度

  • · 用于三元化合物和納米層壓板的內(nèi)置脈沖序列

  • · 快速運(yùn)行,簡單的問題讓用戶開始

  • · 輸入子周期和總周期


AT200M 經(jīng)濟(jì)型原子層沉積設(shè)備






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